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二維晶體的長晶方法

專利國別: 中華民國  發表日期: 2016-11-15 10:57:03  最後修改: 2017-07-13 11:13:22

項目 內容
本校案號 P103017
發明人 謝雅萍、謝馬利歐、邱怡菁
所屬院 工學院
所屬系所 光機電整合工程研究所
類型 發明
申請號 104107364
申請日期 2015-03-09
公告號 I551736
公告/公開日期 2016-10-01
證書號 I551736
核准日期 2016-10-01
國際分類號 C30B-025/22(2006.01);C30B-029/02(2006.01
專利權期間 2016/10/01~2035/03/08
專利摘要 本發明揭露一種二維晶體的長晶方法,包含:提供複數個子基板;將子基板堆疊成層疊基板;置放層疊基板於長晶爐內;通入反應氣體至長晶爐內;以及加熱長晶爐,以令反應氣體於層疊基板上產生反應,並於層疊基板中子基板之至少一表面上形成至少一二維晶體。
專利權人 國立中正大學