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具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法

專利國別: 中華民國  瀏覽人次: 21  發表日期: 2017-10-12 15:02:02  最後修改: 2017-11-23 11:28:55

項目 內容
本校案號 P102014
發明人 周禮君、陳雯灝、陳昭文、曾彥達
所屬院 理學院
所屬系所 化學暨生物化學系所
類型 發明
申請號 102111130
申請日期 2013-03-28
公開號 I597286
公開日期 2017-09-01
證書號 I597286
核准日期 2017-09-01
國際分類號 C07F-007/10(2006.01)
專利權期間 2017.09.01~2033.03.27
專利摘要 本發明係揭露一種具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法,此巰基烷化雜氮矽三環衍生物至少包含:具有巰基端之巰基烷化雜氮矽三環化合物;以及鍵結於巰基端之硫上之保護基,此保護基用以避免巰基烷化雜氮矽三環衍生物之巰基端與氧或與具有酮基及醛基等官能基之活性物發生化學反應。此外,本發明之巰基烷化雜氮矽三環衍生物之製造方法至少包含:提供具有巰基端之矽烷化合物;於矽烷化合物之巰基端上鍵結保護基;以及將鍵結有保護基之矽烷化合物與三乙醇胺進行化學反應,以製造出本發明之具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物。
專利權人 國立中正大學

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