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專利國別 |
中華民國 |
發表日期 |
2014-07-17 15:47:36 |
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專利讓與 |
一、依據科技部中華民國108年01月15日科部產字第1080004368號函辦理。 二、本案經第296次智慧財產權審議委員會辦理。 三、公告日：2020年01月17日（星期五）。 四、公告讓與期間：自公告日起3個月。 五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16504。 |
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本校案號 |
P101011 |
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專利名稱 |
硒化銅奈米粉體和電泳沉積硒化銅薄膜之製造方法 |
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發明人 |
丁初稷 |
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屬院 |
工學院 |
提案單位 |
光機電整合工程研究所 |
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類型 |
發明 |
專利權人 |
國立中正大學 |
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申請號 |
101101916 |
申請日期 |
2012-01-18 |
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公開號 |
201331423 |
公開日期 |
2013-08-01 |
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證書號 |
I439578 |
核准日期 |
2014-06-01 |
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國際分類號 |
C25D-013/02(2006.01)；H01L-031/18(2006.01) |
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專利權期間 |
2014.06.01~2032.01.17 |
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專利摘要 |
本發明以熱裂解法並在惰性氣體的環境下製備硒化銅(Cu2-xSe)奈米粉體，藉由改變不同的製程參數如銅硒比(Cu/Se)、Se的前驅物濃度、反應時間及反應溫度來合成均勻分散的硒化銅奈米粉體。由感應耦合電漿原子發射光譜分析儀(ICP-AES)量測出Cu2-xSe的化學組成比為Cu1.95Se(x=0.05)。其次，在正極接上不銹鋼板，在負極接上ITO導電玻璃，將合成好的硒化銅奈米粉體溶於乙醇中並在惰性氣體的環境下利用電泳沉積(electrophoretical deposition，EPD)成硒化銅薄膜。 |
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圖示 |
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