

|
專利國別 |
中華民國 |
發表日期 |
2015-01-14 09:12:34 |
|
專利讓與 |
一、依據本校第277次智慧財產權審議委員會辦理。 二、公告日:2019年03月12日(星期二)。 三、公告讓與期間:自公告日起3個月。 四、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16504。 |
||
|
本校案號 |
P100053 |
||
|
專利名稱 |
低電壓內容可定址記憶體之讀取與比對電路 |
||
|
發明人 |
王進賢、陳泰安 |
||
|
所屬院 |
工學院 |
提案單位 |
晶片系統研究中心 |
|
類型 |
發明 |
專利權人 |
國立中正大學 |
|
申請號 |
097147568 |
申請日期 |
2008-12-05 |
|
公開號 |
201023182 |
公開日期 |
2010-06-16 |
|
證書號 |
I405206 |
核准日期 |
2013-08-11 |
|
國際分類號 |
G11C-011/4063(2006.01) |
||
|
專利權期間 |
2013.08.11~2028.12.04 |
||
|
專利摘要 |
本發明是揭示一種低電壓內容可定址記憶體之讀取與比對電路,其係是由寫入電路將所需儲存訊號資料輸入細胞元中儲存,再由讀取電路將已完成儲存之信號讀取出來,再藉由比對電路將已儲存之資料與比對電路之搜尋資料進行比對。因在此記憶體細胞元中所執行的讀、寫與比對之電路都是個別分開的,彼此互不影響,在低電壓操作下可達到高可靠低功率消耗,且無須使用特別製程技術便可輕易實現,也可針對不同需求將此電路最佳化,並可讓使用者在速度與功率上做取捨,亦可解決在低電壓下所面臨之漏電流及雜訊容忍度之問題。 |
||
|
圖示 |
|||

