專利國別

  中華民國   

發表日期

2022-08-04 14:06:12

專利讓與

一、依據科技部中華民國111年01月10日科部產字第1110002329號函辦理。

二、依據本校第351次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：2022年08月04日(星期四)。

四、公告讓與期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P97005

專利名稱

奈米碳管場發射電子源之製造方法

發明人

李元堯、游孟潔、曾俊龍、巫宏智

所屬院

工學院

提案單位

化學工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

098115312

申請日期

2009.05.08

公開號

201041006

公開日期

2010.11.16

證書號

I460759

核准日期

2014.11.11

國際分類號

B82B-003/00(2006.01)；H01J-001/304(2006.01)；H01J-009/02(2006.01)

專利權期間

2014.11.11~2029.05.07

專利摘要

一種奈米碳管場發射電子源之製造方法，包含提供一基板，於基板上設置一電極層，利用網印方式將一混合物塗佈於一電極層上，而混合物係由奈米碳管漿料及碳粉混和而成，並燒結以進行熱裂解反應，而碳粉與奈米碳管漿料中的高分子在熱裂解反應中所裂解出的碳當作碳源，可生長該刺蝟狀奈米碳簇結構之奈米碳管發射層，於燒結之後可完成一陰極板。本發明之刺蝟狀奈米碳簇結構係為多方向之電子發射路徑之奈米碳管發射層，因此，可達到高電流密度、低起始電壓(turn-on voltage)的特性，以及可提高電子場發射的穩定性。

圖示