【專利公告讓與】P100042-具有垂直異向性之合成反鐵磁結構及其製法

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專利國別

  中華民國   

發表日期

2023-01-05 16:28:32

專利讓與

一、依據經濟部科學技術研究發展成果歸屬及運用辦法第22條規定辦理。

二、依據本校第358次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日:2023年01月05日(星期四)。

四、讓與公告期間:自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P100042

專利名稱

具有垂直異向性之合成反鐵磁結構及其製法

發明人

陳恭、薛丞宏

所屬院

工學院

提案單位

自動化研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

100137841

申請日期

2011-10-19

公開號

201318010

公開日期

2013-05-01

證書號

I450284

核准日期

2014-08-21

國際分類號

H01F-010/08(2006.01);H01F-041/32(2006.01);G11C-011/14(2006.01)

專利權期間

2014.08.21~2031.10.18

專利摘要

一種具有垂直異向性之合成反鐵磁結構及其製法,該具有垂直異向性之合成反鐵磁結構主要包括:基材及在基材上依序堆疊之緩衝層、第一氧化層、第一鐵磁層、非磁性金屬層、第二鐵磁層及第二氧化層,其中,第一和第二鐵磁層各自具有預定厚度,而夾置於第一及第二鐵磁層之間的非磁性金屬層具有另一預定厚度。此結構經退火處理後,可實現第一與第二鐵磁層之間呈現垂直式反平行耦合的特性。

圖示

100042

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