專利國別

  中華民國   

發表日期

2013-06-20 10:57:30

本校案號

P98032

專利名稱

氧化銦錫薄膜及其製造方法

發明人

丁初稷、蔡嘉豪、王祥辰

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

099101333

申請日期

2010-01-19

公開號

201125822

公開日期

2011-08-01

證書號

I395716

核准日期

2013-05-11

國際分類號

C01G-019/00(2006.01)

專利權期間

2013.05.11~2030.01.18

專利摘要

本發明利用特定含量之釔離子及銪離子共摻雜氧化銦錫，製作出一種具有放射可見光螢光功能的透明導電之氧化銦錫薄膜；並提供製作該氧化銦錫薄膜之製造方法；前述氧化銦錫薄膜發光特性良好且具有高導電度，可用於提高太陽能電池效率且應用於薄膜電致發光元件。

圖示