專利國別

  中華民國   

發表日期

2013-11-18 16:12:25

本校案號

P98033

專利名稱

氧化鋅奈米柱薄膜及其製備方法

發明人

丁初稷、李長紘、郭致佑、王祥辰

所屬院

工學院

提案單

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

099101331

申請日期

2010-01-19

公開號

201126030

公開日期

2011-08-01

證書號

I412636

核准日期

2013-10-21

國際分類號

C30B-029/16(2006.01)；C30B-029/60(2006.01)；C30B-033/00(2006.01)；G02B-001/02(2006.01)

專利權期間

2013.10.21~2030.01.18

專利摘要

本發明係提供一種在一基板上形成氧化鋅晶種層，並於鋅離子濃度為0.001～0.1M的氧化鋅奈米柱薄膜成長溶液中於50～100℃之成長溫度及0.5～10小時之成長時間下，令前述氧化鋅晶種層上成長出一氧化鋅晶柱層，進而獲取一成長有晶柱層之氧化鋅奈米柱薄膜的氧化鋅奈米柱薄膜製備方法；該氧化鋅奈米柱薄膜製備方法具有製程簡單、低溫與低成本，且能提供高緻密性且具有良好光學特性之氧化鋅奈米柱薄膜。

圖示