專利國別

  中華民國   

發表日期

2014-07-15 16:31:41

本校案號

P99012

專利名稱

三極型場發射裝置及其製作方法

發明人

李元堯、游孟潔 、曾俊龍、巫宏智、阮彥銘、林旺樺

所屬院

工學院

提案單位

化學工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

100125106

申請日期

2011-07-15

公開號

201303949

公開日期

2013-01-16

證書號

I437604

核准日期

2014-05-11

國際分類號

H01J-031/12(2006.01)；H01J-029/04(2006.01)

專利權期間

2014.05.11~2031.07.14

專利摘要

本發明提供一種三極型場發射裝置及其製作方法，適用於曲面或平面基板上的全網印製程，可先利用網印方式同時形成陰極電極及閘極電極於一陰極基板上，且閘極電極與陰極電極之間具有一間距，以避免短路或干擾現象；再對位網印刺蝟狀場發射層至少形成於陰極電極上；於陽極基板上依序形成透明導電及發光層；最後間隔平行設置陰極基板及陽極基板，並封裝成一三極型場發射光源裝置。可控制陰極電極及閘極電極之偏壓以達到局部調光功能，且閘極電極可同時作為發射極使用，能提高場發射效率及壽命。

圖示