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專利國別 |
美國 |
發表日期 |
2014-08-14 11:26:52 |
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本校案號 |
P96009A |
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專利名稱 |
超薄鐵磁/反鐵磁耦合薄膜之結構及其製法「ULTRATHIN FERROMAGNETIC/ANTIFERROMAGNETIC COUPLING FILM STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF」 |
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發明人 |
蔡志申、李奇暐、陳恭 |
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所屬院 |
理學院 |
提案單位 |
台灣自旋科技研究中心 |
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類型 |
發明 |
專利權人 |
國立中正大學 |
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申請號 |
12/183,164 |
申請日期 |
2008-07-31 |
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公開號 |
US2009117355A1 |
公開日期 |
2009-05-07 |
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證書號 |
US 7,897,200 B2 |
核准日期 |
2011-03-01 |
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國際分類號 |
B05D-001/18(2006.01)；B22F-003/00(2006.01)；B32B-007/02(2006.01)；C23C-008/10(2006.01)；C25D-003/00(2006.01)；C25D-003/12(2006.01)；G11B-005/33(2006.01)；G11B-021/00(2006.01)；G11C-019/08(2006.01) |
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專利權期間 |
2008.07.31~2028.07.31(延長120天至2028.11.28) |
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專利摘要 |
The present invention provides a ferromagnetic/antiferromagnetic coupling film structure and a fabrication method thereof. The structure includes an antiferromagnetic layer of cobalt oxide having a thickness of 2 to 15 monolayers and formed on a substrate at a temperature ranging from 700K to 900K; and a ferromagnetic layer of cobalt having a thickness of at least one monolayer for being formed on the antiferromagnetic layer of cobalt oxide. |
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圖示 |
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