專利國別

  中華民國   

發表日期

2014-11-28 09:51:22

本校案號

P100016

專利名稱

適用於低工作電壓之記憶體電路

發明人

王進賢、張倍耀

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

100148011

申請日期

2011-12-22

公開號

201327562

公開日期

2013-07-01

證書號

I457935

核准日期

2014-10-21

國際分類號

G11C-008/14(2006.01)；G11C-016/06(2006.01)

專利權期間

2014.10.21~2031.12.21

專利摘要

一種適用於低工作電壓之記憶體電路，包含有：複數寫入字組線；複數寫入位元線；複數讀寫字組線；複數讀寫位元線；複數讀寫反相字組線；複數虛擬電壓源電路；複數虛擬接地電路；以及複數非對稱隨機存取記憶體細胞元，組合成一細胞元陣列；前述之每一非對稱隨機存取記憶體細胞元係由七個電晶體所組成，包含五個N型電晶體(NMOS)以及二個P型電晶體(PMOS)。本發明主要藉由該等虛擬電壓源電路以及虛擬接地電路來增強在低工作電壓下的寫入及讀取能力，使得低工作電壓下的寫入及讀取動作更為穩定。此外，還可減少漏電流，進而降低功率消耗。

圖示