專利國別

  中華民國   

發表日期

2015-01-14 09:12:34

本校案號

P100053

專利名稱

低電壓內容可定址記憶體之讀取與比對電路

發明人

王進賢、陳泰安

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

097147568

申請日期

2008-12-05

公開號

201023182

公開日期

2010-06-16

證書號

I405206

核准日期

2013-08-11

國際分類號

G11C-011/4063(2006.01)

專利權期間

2013.08.11~2028.12.04

專利摘要

本發明是揭示一種低電壓內容可定址記憶體之讀取與比對電路，其係是寫入電路將所需儲存訊號資料輸入細胞元中儲存，再由讀取電路將已完成儲存之信號讀取出來，再藉由比對電路將已儲存之資料與比對電路之搜尋資料進行比對。因在此記憶體細胞元中所執行的讀、寫與比對之電路都是個別分開的，彼此互不影響，在低電壓操作下可達到高可靠低功率消耗，且無須使用特別製程技術便可輕易實現，也可針對不同需求將此電路最佳化，並可讓使用者在速度與功率上做取捨，亦可解決在低電壓下所面臨之漏電流及雜訊容忍度之問題。

圖示