【專利核准公告】P110022TW-記憶體裝置及其操作方法

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專利國別

  中華民國   

發表日期

2022-11-08 16:14:54

本校案號

P110022TW

專利名稱

記憶體裝置及其操作方法

發明人

王進賢、劉建彤、劉知融

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

110133035

申請日期

2021.09.06

公開號

TW202312167A

公開日期

2023.03.16

證書號

I782693

核准日期

2022.11.01

國際分類號

G11C 11/413(2006.01); G11C 7/22(2006.01)

專利權期間

2022.11.01~2041.09.05

專利摘要

本發明係揭露一種記憶體裝置及其操作方法,記憶體裝置包含靜態隨機存取記憶體晶胞與其連接之電源供應輔助電路。電源供應輔助電路包含第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體與第五電晶體。第一電晶體接收一電源供應電壓,第一電晶體與第二電 晶體之控制端彼此連接。第三電晶體利用第一控制訊號切換連接第二電晶體之控制端與連接端。第四電晶體利用第二控制訊號驅動第二電晶體之控制端接收一系統接地電壓。第五電晶體利用第三控制訊號驅動第一電晶體之控制端接收電源供應電壓,以增加寫入裕度或減少待機模式中的漏電流。

圖示

【專利核准公告】P110022TW-記憶體裝置及其操作方法

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