專利國別

  中華民國   

發表日期

2024-07-31 15:40:55

本校案號

P111024TW

專利名稱

具低反射表面膜與結構之基板、與半導體裝置

發明人

張國恩、黃柏叡

所屬院

研究中心

提案單位

前瞻製造系統頂尖研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

111139374

申請日期

2022.10.18

公開號

202418607

公開日期

2024.05.01

證書號

發明第I843236號

核准日期

2024.05.21

國際分類號

H01L 31/0216(2014.01); H01L 31/0232(2014.01); H01L 31/0236(2006.01)

專利權期間

2024.05.21~2042.10.17

專利摘要

一種具低反射表面膜與結構之基板，一鍺錫(GeSn)層或矽鍺錫(SiGeSn)層設置於該半導體基板上表面做為一低反射膜，該低反射膜的厚度為10nm~10µm，且該低反射膜的上表面為粗糙表面。該低反射膜的材料含量為矽(Si)0.1 at%至30 at%、鍺(Ge)60 at%至99.8 at%、錫(Sn)0.1 at %至40 at%，該低反射膜上表面的表面粗糙度(Ra)為0.01µm至3µm。使具低反射表面膜與結構之基板上形成的電子元件在同樣強度的光源下獲得更好的吸收，可以讓光偵測器的響應提升，也可以提高光致螢光的強度。

圖示