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專利國別 |
中華民國 |
發表日期 |
2024-11-22 11:55 |
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專利讓與 |
一、依據國科會中華民國113年01月03日科部產字第1130001031號函辦理。 二、依據本校第395次智慧財產權審議委員會辦理。 三、公告日:2024年11月22日(星期五) 四、公告讓與期間:自公告日起3個月。 五、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16505。 |
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本校案號 |
P103017 |
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專利名稱 |
二維晶體的長晶方法 |
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發明人 |
謝雅萍、謝•馬力歐、邱怡菁 |
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所屬院 |
工學院 |
提案單位 |
光機電整合工程研究所(機械系) |
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類型 |
發明 |
專利權人 |
國立中正大學 |
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申請號 |
104107364 |
申請日期 |
2015-03-09 |
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公開號 |
201632662 |
公開日期 |
2016-09-16 |
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證書號 |
I551736 |
核准日期 |
2016-10-01 |
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國際分類號 |
C30B-025/22(2006.01);C30B-029/02(2006.01) |
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專利權期間 |
2016.10.01~2035.03.08 |
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專利摘要 |
本發明揭露一種二維晶體的長晶方法,包含:提供複數個子基板;將子基板堆疊成層疊基板;置放層疊基板於長晶爐內;通入反應氣體至長晶爐內;以及加熱長晶爐,以令反應氣體於層疊基板上產生反應,並於層疊基板中子基板之至少一表面上形成至少一二維晶體。 |
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圖示 |
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