專利國別

  中華民國   

發表日期

2009-06-24 09:45:05

專利讓與

一、依據科技部中華民國108年01月15日科部產字第1080004368號函辦理。

二、本案經第300次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：2020年03月31日（星期二）。

四、公告讓與期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16504。

本校案號

P92011

專利名稱

一種應用薄膜鍍著於半導體銅銲墊晶片表面而實現金線與銅銲墊熱音波銲線接合的方法

發明人

敖仲寧、莊正利

所屬院

工學院

提案單位

機械工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

093110094

申請日期

2004-04-12

公開號

200534413

公開日期

2005-10-16

證書號

I238481

核准日期

2005-08-21

國際分類號

H01L-021/60(2006.01)

專利權期間

2005.08.21~2024.04.11

專利摘要

本發明一種應用薄膜鍍著於半導體銅銲墊晶片表面而實現金線與銅銲墊熱音波銲線接合的方法，係於銅銲墊晶片(chip with copper pads)表面鍍著薄膜，該薄膜具有自我鈍化(self-passivation)功能，保護下層之銅銲墊避免於封裝(packaging)製程中，因晶圓切割(die saw)、晶圓黏貼(die mount)或固化(curing)過程與熱音波銲線製程(thermosonic wire bonding process)中，因高溫造成氧化膜之成長，而致使金球與銅銲墊無法銲著或銲著率( bondability)與第一銲點之銲著強度(bonding strength)過低。因此根據本發明選擇適當的薄膜種類與適當的薄膜厚度鍍著於銅銲墊表面即可於大氣氣氛下進行封裝製程中之切晶、黏晶，並實現金球銲點成功銲著於銅銲墊晶片上，達成業界對銲著率與銲著強度的要求。

圖示