【專利公告讓與】P93016-單一低電壓電源金氧半正反器及其控制方法

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專利國別 |
中華民國 |
發表日期 |
2009-06-24 10:35:39 |
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專利讓與 |
一、依據本校第254次智慧財產權審議委員會辦理。 二、公告日:2018年11月28日(星期三)。 三、公告讓與期間:自公告日起3個月。 四、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16504。 |
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本校號 |
P93016 |
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專利名稱 |
單一低電壓電源金氧半正反器及其控制方法 |
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發明人 |
王進賢、李鴻瑜 |
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所屬院 |
工學院 |
提案單位 |
電機工程學系暨研究所 |
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類型 |
發明 |
專利權人 |
國立中正大學 |
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申請號 |
094114399 |
申請日期 |
2005-05-04 |
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公開號 |
200640139 |
公開日期 |
2006-11-16 |
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證書號 |
I253808 |
核准日期 |
2006-04-21 |
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國際分類號 |
H03K-003/353(2006.01) |
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專利權期間 |
2006.04.21~2025.05.03 |
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專利摘要 |
本發明提供一種單一低電壓電源金氧半正反器及其控制方法,其係由外部輸入之一控制訊號至一電源開關中,以控制該電源開關打開為運作模式或關閉為睡眠模式,並輸入一外部睡眠訊號;利用該電源開關控制一組合電路之睡眠或運作模式,其中該組合電路係連接於一虛擬電壓源上;以及輸入一內部時脈訊號分別至一正反器第一級及一正反器第二級中,經由該時脈訊號之電壓值判斷其為進入睡眠模式或運作模式。本發明中所有組合電路之邏輯閘皆由低臨界電壓之金氧半導體所構成,使本發明可在低電壓下維持運作速度,而正反器則混合低臨界電壓與高臨界電壓元件,同時達到維持運作速度與自行抑制漏電流的功能,並縮短喚醒時間。 |
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圖示 |
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