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【專利公告讓與】P92009A-以薄膜層進行銅導線晶片之銲線製程方法「WIRE-BONDING METHOD FOR CHIPS WITH COPPER INTERCONNECTS BY INTRODUCING A THIN LAYER」

讓與-上隔線

專利國別

  美國   

發表日期

2012-06-22 09:51:25

專利讓與

一、依據科技部中華民國105年12月20日科部產字第1050067913號函辦理。

二、公告日:2017年01月13日(星期五)。

三、公告讓與期間:自公告日起3個月。

四、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16504。

本校案號

P92009A

專利名稱

以薄膜層進行銅導線晶片之銲線製程方法「WIRE-BONDING METHOD FOR CHIPS WITH COPPER INTERCONNECTS BY INTRODUCING A THIN LAYER」

發明人

鄭友仁、邱桑茂

所屬院

工學院

提案單位

機械工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

10/855,161

申請日期

2004-05-26

公開號

US 2005-0266672 A1

公開日期

2005-12-01

證書號

US 6,962,864 B1

核准日期

2005-11-08

國際分類號

H01L-021/02(2006.01);H01L-021/44(2006.01)

專利權期間

2004.05.26~2024.05.26

專利摘要

A wire-bonding method for chips with copper interconnects by introducing a thin layer is provided for solving the problem of oxidizing a copper bonding-pad during bonding processing in order not to deteriorate the bonding strength and yield rate thereof. The wire-bonding method of the present invention comprises: a step for providing a chip with a copper bonding-pad; another step for providing an aqueous solution to form a Cuprous oxide thin layer on the copper bonding-pad; and yet another step for setting a plurality of copper interconnects on the copper bonding-pad and providing an ultrasonic power for removing the Cuprous oxide layer to have the interconnects bonded on the copper bonding-pad.

圖示

92009-US

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