專利國別

  中華民國   

發表日期

2014-07-08 11:26:21

專利讓與

一、依據科技部中華民國108年01月15日科部產字第1080004368號函辦理。

二、本案經第296次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：2020年01月17日（星期五）。

四、公告讓與期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16504。

本校案號

P101004

專利名稱

釔摻雜氧化銦透明導電薄膜電晶體及其製備方法

發明人

丁初稷、蔡孟錕、范馨云

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

101101912

申請日期

2012-01-18

公開號

201332114

公開日期

2013-08-01

證書號

I437710

核准日期

2014-05-11

國際分類號

H01L-029/786(2006.01)；B32B-009/04(2006.01)

專利權期間

2014.05.11~2032.05.10

專利摘要

本發明採用溶膠凝膠法製備釔摻雜氧化銦透明導電薄膜，藉由改變摻雜釔的濃度，作為主動層應用於薄膜電晶體中，主要是藉由釔與氧的電負度大於銦與氧的電負度，增加釔對氧的束縛能力，減少氧空缺產生，抑制載子濃度，適合應用於薄膜電晶體中，可以製造成良好的電晶體主動層，且具有理想的電晶體特性，已經可以適用於一般的光電元件。

圖示