專利國別

  美國   

發表日期

2014-12-30 10:04:22

專利讓與

一、依據科技部中華民國108年01月15日科部產字第1080004368號函辦理。

二、依據本校第316次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：2021年04月23日（星期三）。

四、公告讓與期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P101011A

專利名稱

硒化銅奈米粉體和電泳沉積硒化銅薄膜之製造方法「METHOD FOR MAKING CU2-XSE NANOPARTICLE AND METHOD FOR MAKING DEPOSITED CU2-XSE THIN FILM BY ELECTROPHORESIS」

發明人

丁初稷、李文淵

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

13/547,301

申請日期

2012-07-12

公開號

US 2014-0017884 A1

公開日期

2014-01-16

證書號

US 8,673,672 B2

核准日期

2014-03-18

國際分類號

B05D-005/12(2006.01)；H01L-031/0264(2006.01)

專利權期間

2012.07.12~2032.07.12

專利摘要

In the present invention, copper(I) selenide (Cu.sub.2-xSe) nanoparticles are fabricated by pyrolysis in an inert atmosphere. Uniformly dispersed Cu.sub.2-xSe particles are synthesized by altering Cu/Se ratio, the concentration of Se Precursors (TOP Se), reaction time and temperature. Analysis by inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP-AES) of said Cu2-xSe nanoparticles reveals that the composition of the nanoparticles is Cu 1.95Se, wherein x=0.05. In addition, Cu.sub.2-xSe is dissolved in ethanol to deposit thin films by electrophoretical deposition (EPD) in an inert atmosphere, wherein a positive electrode and a negative electrode are employed. The positive electrode is made of stainless steel plate and the negative electrode is made of indium tin oxide on a glass substrate. Investigations on properties and surface morphology thereof in different electrophoretical conditions are carried out. The rate of EPD is found to significantly influence the quality of thin films.

圖示