專利國別

  美國   

發表日期

2022-03-17 11:26:12

專利讓與

一、依據科技部中華民國111年01月10日科部產字第1110002329號函辦理。

二、依據本校第337次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：2022年03月17日(星期四)。

四、公告讓與期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P99012A

專利名稱

三極型場發射裝置及其製作方法「TRIOED-TYPE FIELD EMISSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME」

發明人

李元堯、游孟潔、曾俊龍、巫宏智、阮彥銘、林旺樺

所屬院

工學院

提案單位

化學工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

13/419,821

申請日期

2012-03-14

公開號

US 2013-0015778 A1

公開日期

2013-01-17

證書號

US 9,018,831 B2

核准日期

2015-04-28

國際分類號

H05B-041/16(2006.01)；H01J-063/04(2006.01)

專利權期間

2012.03.14~2032.03.14(延長565天至2033.09.30)

專利摘要

A triode-type field emission device and method of manufacturing the same, suitable for use in screen print process of curved or planar substrate, comprising the following steps: firstly, form a cathode and a gate on a cathode substrate at the same time by means of screen printing, and a gap is located between gate and cathode, to avoid short circuit or interference; next, form a hedgehog-shape field emission layer on at least said cathode; then, form a transparent conductive layer and a light emitting layer sequentially on an anode substrate; and finally, dispose cathode substrate and anode substrate in parallel and spaced apart, and package them into a triode-type field emission device. Bias of cathode and gate can be controlled to achieve local adjustment of light. Also, gate may serve as an emitter, to increase field emission efficiency and its service life.

圖示