Jump to the main content block
:::

【專利公告讓與】P102014-具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法

讓與-上隔線

專利國別

  中華民國   

發表日期

2022-08-23 14:15:21

專利讓與

一、依據科技部中華民國111年01月10日科部產字第1110002329號函辦理。

二、依據本校第352次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日:2022年08月23日(星期二)。

四、讓與公告期間:自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P102014

專利名稱

具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法

發明人

周禮君、陳雯灝、陳昭文、曾彥達

所屬院

理學院

提案單位

化學暨生物化學系所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

102111130

申請日期

2013-03-28

公開號

201437218

公開日期

2014-10-01

證書號

I597286

核准日期

2017-09-01

國際分類號

C07F-007/10(2006.01)

專利權期間

2017.09.01~2033.03.27

專利摘要

本發明係揭露一種具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物及其製造方法,此巰基烷化雜氮矽三環衍生物至少包含:具有巰基端之巰基烷化雜氮矽三環化物;以及鍵結於巰基端之硫上之保護基,此保護基用以避免巰基烷化雜氮矽三環衍生物之巰基端與氧或與具有酮基及醛基等官能基之活性物發生化學反應。此外,本發明之巰基烷化雜氮矽三環衍生物之製造方法至少包含:提供具有巰基端之矽烷化合物;於矽烷化合物之巰基端上鍵結保護基;以及將鍵結有保護基之矽烷化合物與三乙醇胺進行化學反應,以製造出本發明之具有保護基之巰基烷化雜氮矽三環衍生物。

圖示

1020147-TW

讓與-下隔線

Click Num:
Login Success