專利國別

  中華民國   

發表日期

2022-12-20 09:49:57

專利讓與

一、依據經濟部科學技術研究發展成果歸屬及運用辦法第22條規定辦理。

二、依據本校第347次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：2022年12月20日(星期二)。

四、讓與公告期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P96009

專利名稱

超薄鐵磁/反鐵磁耦合薄膜之結構及其製法

發明人

蔡志申、李奇暐、陳恭

所屬院

理學院

提案單位

台灣自旋科技研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

096141973

申請日期

2007-11-07

公開號

200921718

公開日期

2009-05-16

證書號

I394179

核准日期

2013-04-21

國際分類號

H01F-010/16(2006.01)；H01F-010/30(2006.01)

專利權期間

2013.04.21~2027.11.06

專利摘要

一種鐵磁/反鐵磁耦合薄膜之結構及其製法，該結構包含基材、於700至900 K之溫度條件下，形成於基材表面厚度為2至15原子層(monolayers,ML)之氧化鈷反鐵磁層、以及形成於氧化鈷反鐵磁層表面至少1原子層之鈷膜鐵磁層。該方法係先於基材表面鍍上至少2原子層之第一鈷膜，接著使該第一鈷膜曝氧至飽和並於700至900 K之溫度條件下加熱使氧與鈷均勻化合形成厚度為2至15原子層之氧化鈷層，再於該氧化鈷層表面鍍上至少1原子層之第二鈷膜。所形成之薄膜結構經場冷卻後，利用表面磁光科爾效應儀(surface magneto－optic Kerr effect,SMOKE)進行磁性量測，發現磁滯偏移現象，為良好的鐵磁/反鐵磁薄膜。藉由調整反鐵磁層的厚度，可以改變交換耦合的強度，獲得鐵磁層與反鐵磁層交換耦合的最佳條件，適合用於製作磁記錄媒體。

圖示