專利國別

  中華民國   

發表日期

2009-06-24 09:37:42

本校案號

P92009

專利名稱

以薄膜層進行銅導線晶片之銲線製程方法

發明人

鄭友仁、邱桑茂

所屬院

工學院

提案單位

機械工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

093108355

申請日期

2004-03-26

公開號

200532826

公開日期

2005-10-01

證書號

I236078

核准日期

2005-07-11

國際分類號

H01L-021/60(2006.01)

專利權期間

2005.07.11~2024.03.25

專利摘要

本發明提出一種以薄膜層進行銅導線晶片之銲線製程方法，其目的在於解決習知銅導線晶片於銲線時，因銅銲墊氧化而導致銲點強度不佳，進而影響製程良率之問題。本發明所提出之以薄膜層進行銅導線晶片之銲線製程方法，其包含提供一晶片，該晶片具有一銅銲墊；提供一溶液使得該些銅銲墊上形成氧化亞銅薄膜；以及製作一銲線於該銅銲墊，並同時提供一超音波移除該氧化亞銅薄膜，使得該銲線的銲點建立於該銅銲墊上。

圖示