專利國別

  中華民國   

發表日期

2009-06-24 11:13:37

本校案號

P95002

專利名稱

製造奈米碳管圖案之方法

發明人

何正榮、鄭榮偉、宋震國、張簡相國

所屬院

工學院

提案單位

機械工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

095128022

申請日期

2006-07-31

公開號

200806571

公開日期

2008-02-01

證書號

I305194

核准日期

2009-01-11

國際分類號

B82B-003/00(2006.01)；C01B-031/04(2006.01)；G03F-007/20(2006.01)

專利權期間

2009.01.11~2026.07.30

專利摘要

一種製造奈米碳管圖案之方法，首先提供一第一透明基板，在第一基板上設有一第一表面，並藉由薄膜沉積方法在第一表面上覆蓋一層奈米碳管薄膜層，且相對於覆有奈米碳管薄膜層之第一表

面設置一第二基板與之面對，應用雷射轉印方法，即將雷射光源照射在第一表面之奈米碳管薄膜層上，使被照射區域產生高溫爆炸而脫離第一表面，而於與之面對之第二基板上形成一奈米碳管圖案。

圖示