【專利核准公告】P99013-雙面發光型場發射元件及其製作方法(已終止維護)

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專利國別 |
中華民國 |
發表日期 |
2014-07-01 10:16:59 |
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本校案號 |
P99013 |
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專利名稱 |
雙面發光型場發射元件及其製作方法 |
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發明人 |
李元堯、游孟潔、曾俊龍、巫宏智、林旺樺、阮彥銘、邱勝正 |
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所屬院 |
工學院 |
提案單位 |
化學工程學系暨研究所 |
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類型 |
發明 |
專利權人 |
國立中正大學 |
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申請號 |
100111627 |
申請日期 |
2011-04-01 |
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公開號 |
201241861 |
公開日期 |
2012-10-16 |
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證書號 |
I433192 |
核准日期 |
2014-04-01 |
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國際分類號 |
H01J-031/12(2006.01);H01J-009/02(2006.01) |
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專利權期間 |
2014.04.01~2031.03.31 |
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專利摘要 |
本發明係揭露一種雙面發光型場發射元件及其製作方法,其係至少包含有透明導電層、混合場發射層及透明封裝材。本發明係直接使用混合有場發射源及螢光粉的混合場發射層來同時作為陰極和陽極,給予一交流電源時,使因陽極角色隨頻率互換,以形成雙面發光之結構。因此,本發明應用範圍極為廣泛,並具有保護場發射源、活化場發射源、降低場發電弧(arcing)效應、導電型螢光粉及亮度提升等之優點。 |
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圖示 |
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