專利國別

  中華民國   

發表日期

2015-03-17 15:41:36

本校案號

P101003

專利名稱

非結晶相之釔摻雜氧化銦鋅的薄膜電晶體及其製備方法

發明人

丁初稷、張謝平

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

101101915

申請日期

2012-01-18

公開號

201332115

公開日期

2013-08-01

證書號

I467773

核准日期

2015-01-01

國際分類號

H01L-021/336(2006.01)；H01L-021/368(2006.01)；H01L-029/786(2006.01)

專利權期間

2015.01.01~2032.01.17

專利摘要

本發明使用溶凝膠法製作非結晶相釔摻雜氧化銦鋅之透明氧化物半導體，調變釔摻雜濃度，將此材料應用於薄膜電晶體之主動層，製成釔摻雜氧化銦鋅薄膜電晶體，其得抑制氧空缺的產生，減少載子濃度，可降低電晶體漏電流，且就元件開關比(Ion/off) ratio、臨限電壓(VT)、輸出電流最大值IDS、飽和區載子遷移率μSat、以及次臨限擺幅值S.S.值等方面呈現有關電晶體之特性。

圖示