專利國別

  中華民國   

發表日期

2016-11-15 10:57:03

本校案號

P103017

專利名稱

二維晶體的長晶方法

發明人

謝雅萍、謝•馬力歐、邱怡菁

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

104107364

申請日期

2015-03-09

公開號

201632662

公開日期

2016-09-16

證書號

I551736

核准日期

2016-10-01

國際分類號

C30B-025/22(2006.01)；C30B-029/02(2006.01)

專利權期間

2016.10.01~2035.03.08

專利摘要

本發明揭露一種二維晶體的長晶方法，包含：提供複數個子基板；將子基板堆疊成層疊基板；置放層疊基板於長晶爐內；通入反應氣體至長晶爐內；以及加熱長晶爐，以令反應氣體於層疊基板上產生反應，並於層疊基板中子基板之至少一表面上形成至少一二維晶體。

圖示