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【可授權專利公告】P96009A-超薄鐵磁/反鐵磁耦合薄膜之結構及其製法「ULTRATHIN FERROMAGNETIC/ANTIFERROMAGNETIC COUPLING FILM STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF」

可授權上格線

專利國別

  美國   

發表日期

2014-08-14 11:26:52

本校案號

P96009A

專利名稱

超薄鐵磁/反鐵磁耦合薄膜之結構及其製法「ULTRATHIN FERROMAGNETIC/ANTIFERROMAGNETIC COUPLING FILM STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF」

發明人

蔡志申、李奇暐、陳恭

所屬院

理學院

提案單位

台灣自旋科技研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

12/183,164

申請日期

2008-07-31

公開號

US 2009-0117355 A1

公開日期

2009-05-07

證書號

US 7,897,200 B2

核准日期

2011-03-01

國際分類號

B05D-001/18(2006.01);B22F-003/00(2006.01);B32B-007/02(2006.01);C23C-008/10(2006.01);C25D-003/00(2006.01);C25D-003/12(2006.01);G11B-005/33(2006.01);G11B-021/00(2006.01);G11C-019/08(2006.01)

專利權期間

2008.07.31~2028.07.31(延長120天至2028.11.28)

專利摘要

The present invention provides a ferromagnetic/antiferromagnetic coupling film structure and a fabrication  method thereof. The structure includes an antiferromagnetic layer of cobalt oxide having a thickness of 2 to 15 monolayers and formed on a substrate at a temperature ranging from 700K to 900K; and a ferromagnetic layer of cobalt having a thickness of at least one monolayer for being formed on the antiferromagnetic layer of cobalt oxide.

圖示

P96009-US

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