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【專利核准公告】P111011TW-介孔二氧化矽奈米粒的製備方法

專利核准-上隔線

專利國別

  中華民國   

發表日期

2023-04-24 15:20:05

本校案號

P111011TW

專利名稱

介孔二氧化矽奈米粒的製備方法

發明人

陳建易、夏宇恩、呂崇銘、本納吉、楊光、文迪、韋玉幸、馬柔堤、黃奕勛、范樹永、蕭秉鈞、陳宗賢

所屬院

理學院

提案單位

地環系

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

111118272

申請日期

2022.05.16

公開號

202346207

公開日期

2023.12.01

證書號

發明第I799268號

核准日期

2023.04.11

國際分類號

C01B 33/145(2006.01); B82Y 30/00(2011.01); C01B 33/148(2006.01)

專利權期間

2023.04.11~2042.05.15

專利摘要

一種介孔二氧化矽奈米粒的製備方法,包含以下步驟:在鹼性催化劑的存在下,使表面素、矽氧烷化合物、水及烷基醇溶劑在20℃至30℃的條件下進行1小時以上且小於20小時的水解聚合反應,獲得包含由該表面素與氧化矽結合的複合物的膠體溶液;對該膠體溶液施予處理程序,其中,該處理程序包括煅燒處理,以使該表面素自該複合物中被去除而產生複數介孔,且該煅燒處理的煅燒溫度範圍為450℃至600℃。透過使用該表面素作為模板,該介孔二氧化矽奈米粒的製備方法具有能快速地獲得具有數個介孔的二氧化矽奈米粒的優點。

圖示

 

專利核准-下隔線

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