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【可授權專利公告】P108024TW-積層製造之晶格結構生成以及評估方法

可授權-上隔線

專利國別

  中華民國   

發表日期

2023-05-01 14:43:27

本校案號

P108024TW

專利名稱

積層製造之晶格結構生成以及評估方法

發明人

劉德騏、陳自豪、陳佑瑋

所屬院

工學院

提案單位

前瞻製造系統頂尖研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

109122355

申請日期

2020.07.02

公開號

202202322

公開日期

2022.01.16

證書號

發明第I799721號

核准日期

2023.04.21

國際分類號

B29C 64/386(2017.01); B29C 64/393(2017.01); G06Q 50/04(2012.01)

專利權期間

B29C 64/386(2017.01); B29C 64/393(2017.01); G06Q 50/04(2012.01)

專利摘要

一種積層製造之晶格結構生成以及評估方法,透過一電子裝置來實施並包含以下步驟,從該電子裝置中的一晶格資料庫選取至少一種晶格類型,依據該晶格類型,利用該電子裝置中的一晶格物件生成系統,生成一具有晶格結構的物件,依據該物件的一結構資料,以該電子裝置中的一力學計算系統,計算該物件的力學性能,以該電子裝置中的一性能評估系統,評估經計算的該力學性能是否符合需求,最後,以該電子裝置中的一布林及立體模型生成系統,鋪設出該物件的一三角網格立體模型。

圖示

108024

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