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【專利公告讓與】P95002-製造奈米碳管圖案之方法

讓與-上隔線

專利國別

  中華民國   

發表日期

2009-06-24 11:13:37

專利讓與

一、依據本校第256次智慧財產權審議委員會辦理。

二、公告日:2018年01月08日(星期一)。

三、公告讓與期間:自公告日起3個月。

四、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16504。

本校案號

P95002

專利名稱

製造奈米碳管圖案之方法

發明人

何正榮、鄭榮偉、宋震國、張簡相國

所屬院

工學院

提案單位

機械工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

095128022

申請日期

2006-07-31

公開號

200806571

公開日期

2008-02-01

證書號

I305194

核准日期

2009-01-11

國際分類號

B82B-003/00(2006.01);C01B-031/04(2006.01);G03F-007/20(2006.01)

專利權期間

2009.01.11~2026.07.30

專利摘要

一種製造奈米碳管圖案之方法,首先提供一第一透明基板,在第一基板上設有一第一表面,並藉由薄膜沉積方法在第一表面上覆蓋一層奈米碳管薄膜層,且相對於覆有奈米碳管薄膜層之第一表

面設置一第二基板與之面對,應用雷射轉印方法,即將雷射光源照射在第一表面之奈米碳管薄膜層上,使被照射區域產生高溫爆炸而脫離第一表面,而於與之面對之第二基板上形成一奈米碳管圖案。

圖示

95002

讓與-下隔線

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