【專利公告讓與】P95002-製造奈米碳管圖案之方法

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專利國別 |
中華民國 |
發表日期 |
2009-06-24 11:13:37 |
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專利讓與 |
一、依據本校第256次智慧財產權審議委員會辦理。 二、公告日:2018年01月08日(星期一)。 三、公告讓與期間:自公告日起3個月。 四、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16504。 |
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本校案號 |
P95002 |
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專利名稱 |
製造奈米碳管圖案之方法 |
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發明人 |
何正榮、鄭榮偉、宋震國、張簡相國 |
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所屬院 |
工學院 |
提案單位 |
機械工程學系暨研究所 |
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類型 |
發明 |
專利權人 |
國立中正大學 |
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申請號 |
095128022 |
申請日期 |
2006-07-31 |
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公開號 |
200806571 |
公開日期 |
2008-02-01 |
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證書號 |
I305194 |
核准日期 |
2009-01-11 |
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國際分類號 |
B82B-003/00(2006.01);C01B-031/04(2006.01);G03F-007/20(2006.01) |
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專利權期間 |
2009.01.11~2026.07.30 |
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專利摘要 |
一種製造奈米碳管圖案之方法,首先提供一第一透明基板,在第一基板上設有一第一表面,並藉由薄膜沉積方法在第一表面上覆蓋一層奈米碳管薄膜層,且相對於覆有奈米碳管薄膜層之第一表 面設置一第二基板與之面對,應用雷射轉印方法,即將雷射光源照射在第一表面之奈米碳管薄膜層上,使被照射區域產生高溫爆炸而脫離第一表面,而於與之面對之第二基板上形成一奈米碳管圖案。 |
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圖示 |
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