專利國別

  中華民國   

發表日期

2022-06-30 09:17:49

專利讓與

一、依據科技部中華民國111年01月10日科部產字第1110002329號函辦理。

二、依據本校第346次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：2022年06月30日(星期四)。

四、公告讓與期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P99013

專利名稱

雙面發光型場發射元件及其製作方法

發明人

李元堯、游孟潔、曾俊龍、巫宏智、林旺樺、阮彥銘、邱勝正

所屬院

工學院

提案單位

化學工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

100111627

申請日期

2011-04-01

公開號

201241861

公開日期

2012-10-16

證書號

I433192

核准日期

2014-04-01

國際分類號

H01J-031/12(2006.01)；H01J-009/02(2006.01)

專利權期間

2014.04.01~2031.03.31

專利摘要

本發明係揭露一種雙面發光型場發射元件及其製作方法，其係至少包含有透明導電層、混合場發射層及透明封裝材。本發明係直接使用混合有場發射源及螢光粉的混合場發射層來同時作為陰極和陽極，給予一交流電源時，使因陽極角色隨頻率互換，以形成雙面發光之結構。因此，本發明應用範圍極為廣泛，並具有保護場發射源、活化場發射源、降低場發電弧(arcing)效應、導電型螢光粉及亮度提升等之優點。

圖示