專利國別

  美國   

發表日期

2023-06-06 11:57:55

專利讓與

一、依據國科會中華民國111年01月10日科部產字第1110002329號函辦理。

二、依據本校第366次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：2023年06月06日(星期二)。

四、讓與公告期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P99013A

專利名稱

雙面發光型場發射元件及其製作方法「DOUBLE-SIDED LIGHT EMITTING FIELD EMISSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME」

發明人

李元堯、游孟潔、曾俊龍、巫宏智、林旺樺、阮彥銘、邱勝正

所屬院

工學院

提案單位

化學工程學系暨研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

13/209,892

申請日期

2011-08-15

公開號

US 2012-0248967 A1

公開日期

2012-10-04

證書號

US 8,299,699 B2

核准日期

2012-10-30

國際分類號

H01J-001/62(2006.01)

專利權期間

2011.08.15~2031.08.15

專利摘要

A double-sided light-emitting field emission device and method of manufacturing same, said device comprising at least two transparent conductive layers, mixed field emission layers, and transparent package device. Wherein, the mixed field emission layer of field emission source and phosphor are utilized directly to serve as anode and cathode alternatively, such that on applying an AC power supply, roles of anode and cathode alternatively along with frequency, hereby forming double-sided-light-emitting structure. Therefore, the applications of said double-sided light-emitting field emission device are pretty wide, and having advantages of protecting field emission sources, reducing field emission arcing effect, having conductive phosphor, and raising illumination.

圖示