專利國別

  美國   

發表日期

2012-09-26 14:32:24

本校案號

P98032A

專利名稱

氧化銦錫薄膜及其製造方法「TIN-DOPED INDIUM OXIDE THIN FILMS AND METHOD FOR MAKING SAME」

發明人

丁初稷、蔡嘉豪、王祥辰

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

12/778,183

申請日期

2010-05-12

公開號

US 2011-027510 A1

公開日期

2011-11-17

證書號

US 8,192,652 B2

核准日期

2011-12-06

國際分類號

H01B-001/08(2006.01)；B05D-005/12(2006.01)；C23C-014/34(2006.01)

專利權期間

2010.05.12~2030.05.12(延長231天至2030.12.29)

專利摘要

The tin-doped indium oxide thin film in accordance with the present invention has a tin-doped indium oxide, yttrium ions and europium ions, wherein the yttrium ions are proportional to 0.1-10 mol % of the tin-doped indium oxide while the europium ions proportional to 0.05-5 mol % of the tin-doped indium oxide. The method in accordance with the present invention comprises preparing a tin-doped indium oxide; and doping yttrium ions proportional to 0.1-10 mol % of the tin-doped indium and europium ions proportional to 0.05-5 mol % of the tin-doped indium oxide in the tin-doped indium oxide using a film-manufacturing method.

圖示