專利國別

  中華民國   

發表日期

2014-02-14 10:07:53

本校案號

P101037

專利名稱

十電晶體靜態隨機存取記憶體架構

發明人

蔡宗亨、嚴建安

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

097147569

申請日期

2008-12-05

公開號

201023183

公開日期

2010-06-16

證書號

I412037

核准日期

2013-10-11

國際分類號

G11C-011/41(2006.01)；G11C-011/413(2006.01)

專利權期間

2013.10.11~2028.12.04

專利摘要

本發明提出一種十電晶體(10 Transistor)靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory,SRAM)架構。藉由在六電晶體靜態隨機存取記憶單元(Memory Cell)架構加上兩個額外的對稱資料存取路徑組成。而單一個資料存取路徑共有兩個電晶體。透過額外的讀取路徑,讀取之訊號不再由記憶體單元趨動,因此記憶體單元內電晶體的尺寸設計不再受限於所需的趨動能力,可以使用最小尺寸以提供較高操作速度,適合高速數位電路應用。在記憶體單元的設計上,也可達到全域式靜態雜訊邊界。

圖示