專利國別

  中華民國   

發表日期

2014-07-08 11:26:21

本校案號

P101004

專利名稱

釔摻雜氧化銦透明導電薄膜電晶體及其製備方法

發明人

丁初稷、蔡孟錕、范馨云

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

101101912

申請日期

2012-01-18

公開號

201332114

公開日期

2013-08-01

證書號

I437710

核准日期

2014-05-11

國際分類號

H01L-029/786(2006.01)；B32B-009/04(2006.01)

專利權期間

2014.05.11~2032.05.10

專利摘要

本發明採用溶膠凝膠法製備釔摻雜氧化銦透明導電薄膜，藉由改變摻雜釔的濃度，作為主動層應用於薄膜電晶體中，主要是藉由釔與氧的電負度大於銦與氧的電負度，增加釔對氧的束縛能力，減少氧空缺產生，抑制載子濃度，適合應用於薄膜電晶體中，可以製造成良好的電晶體主動層，且具有理想的電晶體特性，已經可以適用於一般的光電元件。

圖示