專利國別

  中華民國   

發表日期

2014-07-17 15:47:36

本校案號

P101011

專利名稱

硒化銅奈米粉體和電泳沉積硒化銅薄膜之製造方法

發明人

丁初稷

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

101101916

申請日期

2012-01-18

公開號

201331423

公開日期

2013-08-01

證書號

I439578

核准日期

2014-06-01

國際分類號

C25D-013/02(2006.01)；H01L-031/18(2006.01)

專利權期間

2014.06.01~2032.01.17

專利摘要

本發明以熱裂解法並在惰性氣體的環境下製備硒化銅(Cu2-xSe)奈米粉體，藉由改變不同的製程參數如銅硒比(Cu/Se)、Se的前驅物濃度、反應時間及反應溫度來合成均勻分散的硒化銅奈米粉體。由感應耦合電漿原子發射光譜分析儀(ICP-AES)量測出Cu2-xSe的化學組成比為Cu1.95Se(x=0.05)。其次，在正極接上不銹鋼板，在負極接上ITO導電玻璃，將合成好的硒化銅奈米粉體溶於乙醇中並在惰性氣體的環境下利用電泳沉積(electrophoretical deposition，EPD)成硒化銅薄膜。

圖示