專利國別

  中華民國   

發表日期

2015-10-30 11:51:32

本校案號

P101007

專利名稱

階層化陣列搭配動態區段防護之源極編碼NOR型唯讀記憶體

發明人

王進賢、王昭翔

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

102107699

申請日期

2013-03-05

公開號

201436112

公開日期

2014-09-16

證書號

I501355

核准日期

2015-09-21

國際分類號

H01L-021/8246(2006.01)；H01L-027/112(2006.01)

專利權期間

2015.09.21~2033.03.04

專利摘要

一種階層化陣列搭配動態區段防護之源極編碼NOR型唯讀記憶體，包含有：複數記憶體細胞元，形成複數細胞元陣列；複數字元線；複數區域位元線，電性連接於該等記憶體細胞元的集極；複數奇偶選擇電路，電性連接於一該細胞元陣列中的該等記憶體細胞元所對應的區域位元線；複數全域位元線，電性連接於該直行記憶體細胞元所對應的該奇偶選擇電路；以及複數奇偶預充電路，電性連接於複數該全域位元線；其中，各該記憶體細胞元的源極係依照資料編碼來選擇為接地或浮接。

圖示