專利國別

  日本   

發表日期

2022-07-27 16:26:01

本校案號

109001JP

專利名稱

記憶體裝置及其操作方法「記憶装置及びその操作方法」

發明人

王進賢、劉建彤、王皓平

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

特願2020-178766(P2020-178766)

申請日期

令和2年10月26日(2020.10.26)

公開號

特開2022-024953(P2022-024953)

公開日期

令和4年2月9日(2022.2.9)

證書號

特許第7002783号 (P7002783)

核准日期

令和4年1月5日(2022.1.5)

國際分類號

G11C 11/412 (2006.01)；G11C 11/417 (2006.01)；G11C 11/418 (2006.01)

專利權期間

2020.10.26～2040.10.26

專利摘要

【課題】読み出しの安定性を高め、書き込みマージンを増加させ、保持マージンを維持し、保持及び待機のリーク電流を低減する記憶装置及びその操作方法を提供すること。【解決手段】記憶装置はＳＲＡＭセル４０、電源供給補助電圧発生回路４１、ソース補助電圧発生回路４２及びワード線補助電圧発生回路４３を備え、電源供給補助電圧発生回路４１、ソース補助電圧発生回路４２及びワード線補助電圧発生回路４３は保持モードにおいてアクセスしていない行のメモリーセルで用いられる有効電源電圧を低下させ、アクティブモードにおいてアクセスするメモリーセルで用いられる有効電源電圧を上昇させ、かつ待機モードにおける全てのＳＲＡＭセルの有効電源電圧をさらに低下させる。

圖示