專利國別

  日本   

發表日期

2023-01-13 10:24:21

本校案號

P109001JP

專利名稱

記憶體裝置及其操作方法「記憶装置及びその操作方法」

發明人

王進賢、劉建彤、王皓平

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

特願2020-178766

申請日期

2020.10.26

公開號

特開2022-24953

公開日期

2022.02.09

證書號

特許第7002783号

核准日期

2022.01.05

國際分類號

G11C 11/412 (2006.01)；G11C 11/417 (2006.01)；G11C 11/418 (2006.01)

專利權期間

2020.10.26～2040.10.26

專利摘要

【課題】読み出しの安定性を高め、書き込みマージンを増加させ、保持マージンを維持し、保持及び待機のリーク電流を低減する記憶装置及びその操作方法を提供すること。

 【解決手段】記憶装置はＳＲＡＭセル４０、電源供給補電圧発生回路４１、ソース補助電圧発生回路４２及びワード線補助電圧発生回路４３を備え、電源供給補助電圧発生回路４１、ソース補助電圧発生回路４２及びワード線補助電圧発生回路４３は保持モードにおいてアクセスしていない行のメモリーセルで用いられる有効電源電圧を低下させ、アクティブモードにおいてアクセスするメモリーセルで用いられる有効電源電圧を上昇させ、かつ待機モードにおける全てのＳＲＡＭセルの有効電源電圧をさらに低下させる。

圖示