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【專利公告讓與】P103017-二維晶體的長晶方法

公告讓與-上隔線

專利國別

  中華民國   

發表日期

2024-11-22  11:55

專利讓與

一、依據國科會中華民國113年01月03日科部產字第1130001031號函辦理。

二、依據本校第395次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日:2024年11月22日(星期五)

四、公告讓與期間:自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商,或對受讓申請程序有任何疑問者,聯繫研發處技術推廣中心洽談,電話:05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P103017

專利名稱

二維晶體的長晶方法

發明人

謝雅萍、謝•馬力歐、邱怡菁

所屬院

工學院

提案單位

光機電整合工程研究所(機械系)

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

104107364

申請日期

2015-03-09

公開號

201632662

公開日期

2016-09-16

證書號

I551736

核准日期

2016-10-01

國際分類號

C30B-025/22(2006.01);C30B-029/02(2006.01)

專利權期間

2016.10.01~2035.03.08

專利摘要

本發明揭露一種二維晶體的長晶方法,包含:提供複數個子基板;將子基板堆疊成層疊基板;置放層疊基板於長晶爐內;通入反應氣體至長晶爐內;以及加熱長晶爐,以令反應氣體於層疊基板上產生反應,並於層疊基板中子基板之至少一表面上形成至少一二維晶體。

圖示

P103017

公告讓與-下隔線

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