專利國別

   中華民國   

發表日期

2026-09-10

專利讓與

一、依據國科會中華民國113年01月03日科部產字第1130001031號函辦理。

二、依據本校第426次智慧財產權審議委員會辦理。

三、公告日：115年09月10日（星期四）

四、公告讓與期間：自公告日起3個月。

五、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P109001TW

專利名稱

記憶體裝置及其操作方法

發明人

王進賢、劉建彤、王皓平

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

109125436

申請日期

2020-07-28

公開號

202205288

公開日期

2022-02-01

證書號

I726778

核准日期

2021-05-01

國際分類號

G11C-011/4193(2006.01);G11C-007/12(2006.01);G11C-008/08(2006.01);H01L-021/8239(2006.01);G06F-001/32(2019.01)

專利權期間

2021.05.01~2040.07.27

專利摘要

本發明係揭露一種記憶體裝置及其操作方法，記憶體裝置包含一靜態隨機存取記憶體晶胞、一電源供應輔助電壓產生電路、一源極輔助電壓產生電路與一字元線輔助電壓產生電路。電源供應輔助電壓產生電路、源極輔助電壓產生電路與字元線輔助電壓產生電路在保持模式下降低用於未存取列的記憶體晶胞的有效電源電壓，在主動模式下提高用於存取的記憶體晶胞的有效電源電壓，並且進一步降低在待機模式下的所有靜態隨機存取記憶體晶胞的有效電源電壓。待機模式除了實現穩定性和噪聲邊際外，還可以實現主動和待機模式之功耗降低的解決方案。

圖示