專利國別

  中華民國   

發表日期

2023-12-08 16:53:55

專利讓與

一、依據經濟部科學技術研究發展成果歸屬及運用辦法第22條規定辦理。

二、依據本校第316、376次智慧財產權審議委員會辦理。

三、第1次公告日：2021年08月12日（星期四）。

四、第2次公告日：2023年12月08日（星期五）。

五、公告讓與期間：自公告日起3個月。

六、敬請有興趣辦理受讓之廠商，或對受讓申請程序有任何疑問者，聯繫研發處技術推廣中心洽談，電話：05-2720411轉16501、16505。

本校案號

P100030

專利名稱

單端讀取之隨機存取記憶體裝置

發明人

王進賢、張倍耀、林奇昌

所屬院

工學院

提案單位

晶片系統研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

101110981

申請日期

2012-03-29

公開號

201340114

公開日期

2013-10-01

證書號

I494945

核准日期

2015-08-01

國際分類號

G11C-007/04(2006.01)；G11C-007/12(2006.01)

專利權期間

2015.08.01~2032.03.28

專利摘要

本發明為一種單端讀取之隨機存取記憶體裝置，其包含複數記憶單元、一時脈產生器、一位元線負載電路、一控制處理單元及一感測單元。複數記憶單元用於耦接一位元線；一時脈產生器用於產生一時脈訊號；一位元線負載電路依據該時脈訊號對該些記憶單元充電至一工作電位；一控制處理單元依據該時脈訊號控制該些記憶單元之至少一記憶單元依據該工作電位儲存一儲存電位；及一感測單元依據該時脈訊號及一資料相依性產生一感測門檻值，並依據該感測門檻值與該儲存電位而輸出一資料訊號。其中，該工作電位包含一雜訊，且該雜訊於該工作電位之比例係反比於該工作電位。

圖示