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國立中正大學圖書館

 

【專利核准公告】P112008TW-可重構反射陣列結構及具可重構反射陣列結構之控制電路

專利國別

  中華民國   

發表日期

2024-12-09 11:20:55

本校案號

P112008TW

專利名稱

可重構反射陣列結構及具可重構反射陣列結構之控制電路

發明人

林士程、張盛富、張嘉展、林元駿、史庭豪

所屬院

工學院

提案單位

電信研究中心

類型

發明

專利權人

國立中正大學

申請號

112129846

申請日期

2023.08.08

公開號

公開日期

2024.11.21

證書號

發明第I863491號

核准日期

2024.11.21

國際分類號

H01 Q1/38 (2006.01); H01 Q3/30 (2006.01)

專利權期間

2024.11.21~2043.08.07

專利摘要

本發明提供一種可重構反射陣列結構,其包含一移相開關二極體以及一金屬線路。金屬線路包含一第一金屬件與一第二金屬件。第一金屬件耦接移相開關二極體之一端。第二金屬件耦接移相開關二極體之另一端。第一金屬件與第二金屬件之一者包含一第一輻射部與一第二輻射部,第一輻射部位於移相開關二極體與第二輻射部之間。第一輻射部具有一第一長度,第二輻射部具有一第二長度,且第一長度與第二長度相異。藉此,可重構反射陣列結構呈啞鈴形或雙環形,具備寬頻及寬掃描範圍特性,且架構簡易、成本低、損耗低,相當適合應用於無線行動通訊上。

圖示

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