【專利核准公告】P112018TW-多功能可重構反射陣列結構及具多功能可重構反射陣列結構之控制電路
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專利國別 |
中華民國 |
發表日期 |
2025-06-12 |
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本校案號 |
P112018TW |
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專利名稱 |
多功能可重構反射陣列結構及具多功能可重構反射陣列結構之控制電路 | ||
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發明人 |
林士程、張盛富、張嘉展、林元駿、史庭豪 | ||
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所屬院 |
工學院 |
提案單位 |
電信研究中心 |
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類型 |
發明 |
專利權人 |
國立中正大學 |
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申請號 |
113101871 |
申請日期 |
2024.01.17 |
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公開號 |
待補 |
公開日期 |
待補 |
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證書號 |
發明第I884793號 |
核准日期 |
2025.05.21 |
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國際分類號 |
H04B1/18(2006.01); H01Q17/00(2006.01); H04B7/02(2018.01); H01Q1/36(2006.01) | ||
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專利權期間 |
2025.05.21~2044.01.16 | ||
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專利摘要 |
一種多功能可重構反射陣列結構，其包含輻射層及直流偏置層。輻射層包含第一金屬件、第二金屬件、第一二極體及第二二極體。第一二極體連接於第一金屬件與第二金屬件之間。第二二極體耦接第二金屬件。直流偏置層的第一電壓輸入端連接第一二極體。第二電壓輸入端連接第二二極體。第一二極體的第一工作狀態與第二二極體的第二工作狀態受第一輸入訊號與第二輸入訊號控制。輻射層根據第一工作狀態與第二工作狀態進行調變，使得電磁波入射至輻射層後形成單波束反射與雙波束反射之一者或是被輻射層吸收。藉此可應用於任何通訊環境場景。 |
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圖示 |
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